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NE72089ACRKL

更新时间: 2024-01-19 16:06:32
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE72089ACRKL 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.78Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:5 V最大漏极电流 (ID):0.15 A
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最高频带:C BAND
JESD-30 代码:S-CQMW-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:MICROWAVE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:QUAD
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE72089ACRKL 数据手册

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