Datasheet > NE72218-59

NE72218-59

更新时间： 2024-11-19 21:20:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	60K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, PLASTIC, SUPERMINI-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE72218-59 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE72218-59 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE72218

C to X BAND AMPLIFIER

C to X BAND OSC

N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES

•

High power gain in C to X band: G^S= 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

Gate length

: L^g= 0.8 µm

: W^g= 400 µm

Gate width

4-pin super minimold package

Tape & reel packaging only available

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

4-pin super minimold

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

NE72218-T1

NE72218-T2

• Pin 3 (Source), Pin 4 (Drain) face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Source), Pin 2 (Gate) face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (Part number for sample order:

NE72218).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25 °C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

V^DS

V^GS

I^D

Ratings

5.0

Unit

−5.0

I^DSS

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

250

T^ch

125

T^stg

−65 to +125

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P12750EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published August 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

1997, 2000

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与NE72218-59相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE72218-T1	NEC	获取价格	C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T1-57	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72218-T1-58	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72218-T1-59	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72218-T1-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE72218-T2	NEC	获取价格	C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2-57	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72218-T2-59	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72218-T2-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE722S01	NEC	获取价格	NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET

与NE72218-59相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE72218-59

NE72218-59 技术参数

NE72218-59 数据手册

与NE72218-59相关器件

与NE72218-59相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE72218-59

NE72218-59 技术参数

NE72218-59 数据手册

与NE72218-59相关器件

与NE72218-59相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？