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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 14 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE73433-T1B | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE73435 | NEC |
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NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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| NE73435-T1 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE73437 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | MACRO-X |
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| NE73439 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-143 |
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| NE73439B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-143 |
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| NE73439-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE73439-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE73440A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-IVAR |
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| NE73440B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-IVAR |
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