5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE74113 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-39 |
|
| NE74114 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-39 |
|
| NE760 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE KU-K BAND GAAS MESFET |
|
| NE76000 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
|
| NE76000L | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
|
| NE760084 | ETC |
获取价格 |
|
|
| NE76038 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| NE76038 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
|
| NE76038-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| NE76038-T1 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
|
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
