NE76100

更新时间： 2024-02-01 00:08:03

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
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GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE76100 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.40	风险等级：	5.82
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	最大漏极电流 (ID)：	0.06 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE

NE76100 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE76184A

GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

NE76184A is a N-channel GaAs MES FET housed in ce-

ramic package. The device is fabricated by ion implantation for

improved RF and DC performance reliability and uniformity. Its

excellent low noise and high associated gain make it suitable

for DBS, TVRO, GPS and another commercial systems.

PACKAGE DIMENSIONS

(Unit: mm)

1.78 ±0.2

FEATURES

•

Low noise figure & High associated gain

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 12 dB TYP. at f = 4 GHz

ORDERING INFORMATION

SUPPLYING

PART NUMBER

LEAD LENGTH

FORM

NE76184A-SL

STICK

L = 1.7 mm MIN.

NE76184A-T1

Tape & reel

L = 1.0 ± 0.2 mm

0.5 TYP.

NE76184A-T1A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Drain Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

VDS

V^GSO

V^GDO

I^D

P^tot

T^ch

5.0

–5.0

–6.0

100

300

150

˚C

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

T^stg

–65 to +150 ˚C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Gate to Source Leak Current

Saturated Drain Current

Gate to Source Cutoff Voltage

Transconductance

SYMBOL

IGSO

MIN.

–

TYP.

–

MAX.

UNIT

µA

TEST CONDITIONS

VGS = –5 V

IDSS

–0.5

–

100

–3.0

–

VDS = 3 V, VGS = 0

VGS (off)

–

VDS = 3 V, ID = 100 µA

VDS = 3 V, ID = 10 mA

0.8

Noise Figure

1.4

–

f = 4 GHz

V^DD= 3 V

Associated Gain

–

= 10 mA

Power Gain

–

f = 12 GHz

IDSS rank is specified as follows. (K: 30 to 100 mA, N: 30 to 65 mA, M: 55 to 100 mA)

Document No. P10852EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2303)

Data Published October 1995 P

Printed in Japan

1991

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE76100_99	NEC	获取价格	GENERAL PURPOSE GaAs MESFET
NE76100M	NEC	获取价格	GENERAL PURPOSE GaAs MESFET
NE76100N	NEC	获取价格	GENERAL PURPOSE GaAs MESFET
NE76118	NEC	获取价格	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76118_00	NEC	获取价格	GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER
NE76118-M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
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