Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE76118-T2

NE76118-T2

更新时间： 2024-01-20 06:32:20

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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8页	53K
描述
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE76118-T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	4 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	9.5 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE76118-T2 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE76118

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package.

in millimeters

FEATURES

2.1±0.2

•

Low noise figure

1.25±0.1

NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz

High associated gain

•

Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz

Gate width : Wg = 400 Pm

4 pins super mini mold

•

Tape & reel packaging only available

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

NE76118-T1

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide. Pin 3 (Source),

Pin 4 (Drain) face to perforation side of the

tape.

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Gate

3. Source

4. Drain

NE76118-T2

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide. Pin 1 (Source),

Pin 2 (Gate) face to perforation side of the

tape.

Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: NE76118)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 qC)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^DS

V^GSO

V^GDO

I^D

5.0

–5.0

–6.0

I^DSS

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

130

T^ch

150

T^stg

–65 to +150

Document No. P11129EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published January 1997 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE76118-T2K	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-T2M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-TI	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76184A	NEC	获取价格	GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76184AS	NEC	获取价格	GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET
NE76184AS	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76184A-SL	NEC	获取价格	GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76184A-SL	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76184A-SLK	RENESAS	获取价格	X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CERAMIC PACKAGE-4
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