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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 5 V |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE76184B-T1AM | RENESAS |
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X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CERAMIC PACKAGE-4 |
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| NE76184B-T1AN | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184B-T1K | RENESAS |
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X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CERAMIC PACKAGE-4 |
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| NE76184B-T1K | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184B-T1M | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184B-T1N | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE77300 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 450MA I(C) | CHIP |
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| NE77310 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 450MA I(C) | TO-46 |
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| NE77320 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 450MA I(C) | STX-M3 |
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| NE7785-15DL | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor |
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