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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 5 V |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE76184A | NEC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE76184AS | NEC |
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GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
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| NE76184AS | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184A-SL | NEC |
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GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE76184A-SL | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184A-SLK | RENESAS |
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X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CERAMIC PACKAGE-4 |
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| NE76184A-SLM | RENESAS |
获取价格 |
X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CERAMIC PACKAGE-4 |
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| NE76184A-SLM | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184A-SLN | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76184A-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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