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NE76184B-T1N

更新时间: 2024-09-30 21:04:35
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CERAMIC PACKAGE-4

NE76184B-T1N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:5 V
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最高频带:X BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE76184B-T1N 数据手册

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