5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE800495-8 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NE800898-4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE800898-5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE800898-5H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE800898-6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE800898-7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE800898-7H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE800898-8 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE8023A | ETC |
获取价格 |
Encoder/Decoder |
|
| NE80546JG0802MM | INTEL |
获取价格 |
Microprocessor, 64-Bit, 3000MHz, CMOS, CPGA604, FLIP CHIP, MICRO PGA-604 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
