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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE7785-15DL | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor |
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| NE7FAAH0-0-B | ETC |
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N e u t r i k ® P a r t N u m b e r G u i d |
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| NE7FAH0-0-B | ETC |
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N e u t r i k ® P a r t N u m b e r G u i d |
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| NE7MAAH0-0-B | ETC |
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N e u t r i k ® P a r t N u m b e r G u i d |
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| NE7MAH0-0-B | ETC |
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N e u t r i k ® P a r t N u m b e r G u i d |
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| NE-8 | MPSIND |
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E-BEAM GUN SWITCHING POWER SUPPLY |
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| NE800100 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800196 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800199 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800199 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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