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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE800400 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800495-4 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE800495-4 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800495-5 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE800495-6 | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE800495-6 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800495-7 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE800495-7 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800495-8 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800898-4 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.8A I(DSS) | RFMOD |
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