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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE7FAAH0-0-B | ETC |
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| NE7FAH0-0-B | ETC |
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| NE7MAAH0-0-B | ETC |
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| NE7MAH0-0-B | ETC |
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| NE-8 | MPSIND |
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E-BEAM GUN SWITCHING POWER SUPPLY |
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| NE800100 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800196 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800199 | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE800199 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE800200 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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