NE76118

更新时间： 2024-11-19 22:45:23

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE76118 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	4 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	9.5 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE76118 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE76118

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package.

in millimeters

FEATURES

2.1±0.2

•

Low noise figure

1.25±0.1

NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz

High associated gain

•

Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz

Gate width : Wg = 400 Pm

4 pins super mini mold

•

Tape & reel packaging only available

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

NE76118-T1

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide. Pin 3 (Source),

Pin 4 (Drain) face to perforation side of the

tape.

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Gate

3. Source

4. Drain

NE76118-T2

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide. Pin 1 (Source),

Pin 2 (Gate) face to perforation side of the

tape.

Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: NE76118)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 qC)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^DS

V^GSO

V^GDO

I^D

5.0

–5.0

–6.0

I^DSS

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

130

T^ch

150

T^stg

–65 to +150

Document No. P11129EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published January 1997 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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与NE76118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE76118_00	NEC	获取价格	GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER
NE76118-M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-T1	NEC	获取价格	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76118-T1K	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-T1M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-T2	NEC	获取价格	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76118-T2	RENESAS	获取价格	S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, PLASTIC, 18, 4 PIN
NE76118-T2K	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-T2M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE76118-TI	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M

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