5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE76084
NE76084 PDF预览

NE76084

更新时间： 2024-09-27 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 64K
描述
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

NE76084 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
最小功率增益 (Gp)：9 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE76084 数据手册

 浏览型号NE76084的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE76084的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE76084的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE76084的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE76084的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE76084的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
GaAs MES FET  
NE76084  
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER  
N-CHANNEL GaAs MES FET  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
Low noise figure & High associated gain  
NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz  
Gate length: Lg = 0.3 µm  
(Unit: mm)  
1.78 ± 0.2  
•
•
1
Gate width : Wg = 280 µm  
L
L
ORDERING INFORMATION  
SUPPLYING  
PART NUMBER  
LEAD LENGTH  
MARKING  
E
E
FORM  
2
4
NE76084-SL  
NE76084-T1  
STICK  
L = 1.7 mm MIN.  
L
Tape & reel  
L = 1.0 ± 0.2 mm  
L
3
1000 pcs./reel  
NE76084-T1A  
Tape & reel  
L = 1.0 ± 0.2 mm  
0.5 TYP.  
5000 pcs./reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Gate to Drain Voltage  
Drain Current  
VDS  
VGS  
VGD  
ID  
5.0  
V
V
–3.0  
–5.0  
V
1. Source  
2. Drain  
3. Source  
4. Gate  
IDSS  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Ptot  
Tch  
Tstg  
240  
175  
–65 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PART NUMBER  
NE76084  
84  
NE76084-2.4  
84  
PACKAGE CODE  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
Gate to Source Leak Current  
Saturated Drain Current  
Gate to Source Cutoff Voltage  
Transconductance  
IGSO  
IDSS  
VGS(off)  
gm  
10  
50  
10  
50  
µA  
mA  
V
VGS = –4 V  
15  
–0.5  
30  
30  
–0.8  
40  
15  
–0.5  
30  
30  
–0.8  
40  
VDS = 3 V, VGS = 0 V  
VDS = 3 V, IDS = 100 µA  
VDS = 3 V, IDS = 10 mA  
VDS = 3 V, IDS = 10 mA  
f = 12 GHz  
–3.0  
70  
–3.0  
70  
mS  
dB  
dB  
Noise Figure  
NF  
1.6  
9.0  
1.8  
1.8  
9.0  
2.4  
Associated Gain  
Ga  
8.0  
8.0  
Document No. P11843EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TC-2259)  
Date Published August 1996 P  
Printed in Japan  
1989  
©
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与NE76084相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE76084S NEC

获取价格

 		LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE76084S CEL

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE76084-SL NEC

获取价格

 		C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1 NEC

获取价格

 		C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1 CEL

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE76084-T1A NEC

获取价格

 		C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T2 CEL

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE76100 NEC

获取价格

 		GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76100_99 NEC

获取价格

 		GENERAL PURPOSE GaAs MESFET
NE76100M NEC

获取价格

 		GENERAL PURPOSE GaAs MESFET

与NE76084相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证