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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 5 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE76084-T1A | NEC |
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C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE76084-T2 | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE76100 | NEC |
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GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE76100_99 | NEC |
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GENERAL PURPOSE GaAs MESFET |
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| NE76100M | NEC |
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GENERAL PURPOSE GaAs MESFET |
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| NE76100N | NEC |
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GENERAL PURPOSE GaAs MESFET |
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| NE76118 | NEC |
获取价格 |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE76118_00 | NEC |
获取价格 |
GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER |
|
| NE76118-M | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE76118-T1 | NEC |
获取价格 |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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