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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE76084-T1
NE76084-T1 PDF预览

NE76084-T1

更新时间： 2024-02-19 09:34:56
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 64K
描述
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE76084-T1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-XRDB-F4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：5 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.05 A
最大漏极电流 (ID)：0.05 AFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：O-XRDB-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.24 W最小功率增益 (Gp)：8 dB
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

NE76084-T1 数据手册

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DATA SHEET  
GaAs MES FET  
NE76084  
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER  
N-CHANNEL GaAs MES FET  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
Low noise figure & High associated gain  
NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz  
Gate length: Lg = 0.3 µm  
(Unit: mm)  
1.78 ± 0.2  
•
•
1
Gate width : Wg = 280 µm  
L
L
ORDERING INFORMATION  
SUPPLYING  
PART NUMBER  
LEAD LENGTH  
MARKING  
E
E
FORM  
2
4
NE76084-SL  
NE76084-T1  
STICK  
L = 1.7 mm MIN.  
L
Tape & reel  
L = 1.0 ± 0.2 mm  
L
3
1000 pcs./reel  
NE76084-T1A  
Tape & reel  
L = 1.0 ± 0.2 mm  
0.5 TYP.  
5000 pcs./reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Gate to Drain Voltage  
Drain Current  
VDS  
VGS  
VGD  
ID  
5.0  
V
V
–3.0  
–5.0  
V
1. Source  
2. Drain  
3. Source  
4. Gate  
IDSS  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Ptot  
Tch  
Tstg  
240  
175  
–65 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PART NUMBER  
NE76084  
84  
NE76084-2.4  
84  
PACKAGE CODE  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
Gate to Source Leak Current  
Saturated Drain Current  
Gate to Source Cutoff Voltage  
Transconductance  
IGSO  
IDSS  
VGS(off)  
gm  
10  
50  
10  
50  
µA  
mA  
V
VGS = –4 V  
15  
–0.5  
30  
30  
–0.8  
40  
15  
–0.5  
30  
30  
–0.8  
40  
VDS = 3 V, VGS = 0 V  
VDS = 3 V, IDS = 100 µA  
VDS = 3 V, IDS = 10 mA  
VDS = 3 V, IDS = 10 mA  
f = 12 GHz  
–3.0  
70  
–3.0  
70  
mS  
dB  
dB  
Noise Figure  
NF  
1.6  
9.0  
1.8  
1.8  
9.0  
2.4  
Associated Gain  
Ga  
8.0  
8.0  
Document No. P11843EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TC-2259)  
Date Published August 1996 P  
Printed in Japan  
1989  
©
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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