5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE76000 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
|
| NE76000L | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
|
| NE760084 | ETC |
获取价格 |
|
|
| NE76038 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| NE76038 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
|
| NE76038-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| NE76038-T1 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
|
| NE76038-T1A | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
|
| NE76038-T1A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
|
| NE76038-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
