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NE76038-T1

更新时间: 2024-11-20 20:18:59
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE76038-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, S-PQSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:5 V
最大漏极电流 (ID):0.05 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:KU BANDJESD-30 代码:S-PQSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):12 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:QUAD晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

NE76038-T1 数据手册

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