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NE76083A-2.4

更新时间： 2024-02-02 02:19:58

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	62K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 83A, 4 PIN

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NE76083A-2.4 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	5 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	8 dB
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE76083A-2.4 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE76083A

C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low noise figure

(Unit : mm)

NF = 1.6 dB TYP. at f = 12 GHz (NE76083A)

NF = 2.4 dB MAX. at f = 12 GHz (NE76083A-2.4)

High associated gain

1.88±0.3

•

G^a= 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz (NE76083A)

G^a= 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz (NE76083A-2.4)

Gate length: L^g= 0.3 Pm

•

4.0 MIN.

Gate width: W^g= 280 Pm

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 qC)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^DS

V^GS

V^GD

I^D

5.0

ð3.0

ð5.0

100

1.0±0.1

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

T^ch

T^stg

240

175

ð65 to +175

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 qC)

PART NUMBER

NE76083A

83A

NE76083A-2.4

PACKAGE CODE

83A

UNIT

TEST CONDITIONS

CHARACTERISTIC

SYMBOL MIN.

I^GSO

TYP.

MAX.

MIN.

TYP.

MAX.

Gate to Source Leak Current

Saturated Drain Current

Gate to Source Cutoff Voltage

Transconductance

V^GS= ð4 V

I^DSS

V^GS(off)

g^m

ð0.5

ð0.8

ð0.5

ð0.8

V^DS= 3 V, V^GS= 0 V

V^DS= 3 V, I^D= 100 PA

V^DS= 3 V, I^D= 10 mA

f = 12 GHz

ð3.0

Noise Figure

1.6

9.0

1.8

9.0

2.4

Associated Gain

G^a

8.0

Document No. P12211EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2260)

Date Published January 1997 N

Printed in Japan

1989

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE76084	NEC	获取价格	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084S	NEC	获取价格	LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE76084S	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE76084-SL	NEC	获取价格	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1	NEC	获取价格	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE76084-T1A	NEC	获取价格	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
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