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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 14 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE73437 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | MACRO-X |
|
| NE73439 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-143 |
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| NE73439B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-143 |
|
| NE73439-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE73439-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE73440A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-IVAR |
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| NE73440B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-IVAR |
|
| NE74000 | NEC |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR |
|
| NE74000 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| NE74014 | NEC |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR |
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