Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE722S01-T1B-A

NE722S01-T1B-A

更新时间： 2024-11-20 13:11:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	130K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, S01, 4 PIN

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NE722S01-T1B-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	S01, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	4 V
最大漏极电流 (ID)：	0.04 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	X-PXMW-G4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	MICROWAVE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE722S01-T1B-A 数据手册

NEC's C TO X BAND

N-CHANNEL GaAs MES FET

NE722S01

OUTLINE DIMENSION (Units in mm)

FEATURES

• HIGH POWER GAIN:

GS = 6 dB TYP at f = 12 GHz

PACKAGE OUTLINE SO1

• OUTPUT POWER (at 1 dB compression):

2.0 0.2

15 dB TYP at f = 12 GHz

• LOW NOISE/HIGH GAIN:

NF = 0.9 dB TYP, Ga = 12 dB TYP at f = 4 GHz

2.0 0.2

• GATE LENGTH: LG = 0.8 µm (recessed gate)

• GATE WIDTH: WG = 400 µm

0.5

DESCRIPTION

TYP

2.0 0.2

NEC's NE722S01 is a low cost GaAs MESFET suitable for

both amplifier and oscillator applications through X-band.

The device features a 0.8 micron recessed gate, triple

epitaxial technology and is fabricated using ion implantation

for improved RF and DC performance and uniformity. This

device's low phase noise and high fT makes it a excellent

choice for oscillator applications on a digital LNB (Low

Noise Block). The NE722S01 is housed in a low cost plastic

package which is available in Tape and Reel.

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

0.65 TYP

1.9 0.2

1.6

NEC's stringent quality assurance and test procedures

ensure the highest reliability performance.

0.125 0.05

1.5 MAX

APPLICATIONS

0.4 MAX

4.0 0.2

• C to X band low noise amplifiers

• C to X band oscillators

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE722S01

S01

SYMBOLS

IGSO

PARAMETERS AND CONDITIONS

Gate to Source Leak Current, VGS = -5 V

UNITS

MIN

TYP

1.0

MAX

–

-0.5

–

IDSS

Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0 V

Gate to Source Cutoff Voltage, VDS = 3 V, ID = 100 µA

Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 30 mA

Power Gain, VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz

120

-4.0

–

VGS

–

P1dB

Output Power at 1 dB Gain Compression Point at

VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz

dBm

15.0

Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz

Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz

–

0.9

–

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6

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