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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE722S01-T1B
NE722S01-T1B PDF预览

NE722S01-T1B

更新时间： 2024-02-09 00:35:45
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 130K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, S01, 4 PIN

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NE722S01-T1B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：MICROWAVE, X-PXMW-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.27
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：4 V最大漏极电流 (ID)：0.04 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：X BAND
JESD-30 代码：X-PXMW-G4JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE722S01-T1B 数据手册

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NEC's C TO X BAND  
N-CHANNEL GaAs MES FET  
NE722S01  
OUTLINE DIMENSION (Units in mm)  
FEATURES  
• HIGH POWER GAIN:  
GS = 6 dB TYP at f = 12 GHz  
PACKAGE OUTLINE SO1  
• OUTPUT POWER (at 1 dB compression):  
2.0 0.2  
15 dB TYP at f = 12 GHz  
• LOW NOISE/HIGH GAIN:  
NF = 0.9 dB TYP, Ga = 12 dB TYP at f = 4 GHz  
2.0 0.2  
1
• GATE LENGTH: LG = 0.8 µm (recessed gate)  
• GATE WIDTH: WG = 400 µm  
2
0.5  
DESCRIPTION  
TYP  
P
2.0 0.2  
4
NEC's NE722S01 is a low cost GaAs MESFET suitable for  
both amplifier and oscillator applications through X-band.  
The device features a 0.8 micron recessed gate, triple  
epitaxial technology and is fabricated using ion implantation  
for improved RF and DC performance and uniformity. This  
device's low phase noise and high fT makes it a excellent  
choice for oscillator applications on a digital LNB (Low  
Noise Block). The NE722S01 is housed in a low cost plastic  
package which is available in Tape and Reel.  
3
1. Source  
2. Drain  
3. Source  
4. Gate  
0.65 TYP  
1.9 0.2  
1.6  
NEC's stringent quality assurance and test procedures  
ensure the highest reliability performance.  
0.125 0.05  
1.5 MAX  
APPLICATIONS  
0.4 MAX  
4.0 0.2  
• C to X band low noise amplifiers  
• C to X band oscillators  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE722S01  
S01  
SYMBOLS  
IGSO  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
Gate to Source Leak Current, VGS = -5 V  
UNITS  
MIN  
TYP  
1.0  
90  
MAX  
10  
uA  
mA  
V
–
60  
-0.5  
20  
–
IDSS  
Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0 V  
Gate to Source Cutoff Voltage, VDS = 3 V, ID = 100 µA  
Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 30 mA  
Power Gain, VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz  
120  
-4.0  
–
VGS  
–
gm  
mS  
dB  
45  
GS  
6
–
P1dB  
Output Power at 1 dB Gain Compression Point at  
VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz  
dBm  
15.0  
NF  
Ga  
Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz  
Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz  
dB  
dB  
–
–
0.9  
12  
–
_
California Eastern Laboratories  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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