Datasheet > NE72218-T2-59

NE72218-T2-59

更新时间： 2024-11-23 21:20:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	60K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, PLASTIC, SUPERMINI-4

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NE72218-T2-59 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	5 V
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE72218-T2-59 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE72218

C to X BAND AMPLIFIER

C to X BAND OSC

N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES

•

High power gain in C to X band: G^S= 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

Gate length

: L^g= 0.8 µm

: W^g= 400 µm

Gate width

4-pin super minimold package

Tape & reel packaging only available

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

4-pin super minimold

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

NE72218-T1

NE72218-T2

• Pin 3 (Source), Pin 4 (Drain) face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Source), Pin 2 (Gate) face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (Part number for sample order:

NE72218).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25 °C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

V^DS

V^GS

I^D

Ratings

5.0

Unit

−5.0

I^DSS

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

250

T^ch

125

T^stg

−65 to +125

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P12750EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published August 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

1997, 2000

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE72218-T2-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE722S01	NEC	获取价格	NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE722S01-T1	NEC	获取价格	NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE722S01-T1B	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE722S01-T1B1	NEC	获取价格	NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1B-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE734	NEC	获取价格	NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73400	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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