NE722S01

更新时间： 2024-11-22 22:12:39

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日电电子 - NEC		晶体晶体管放大器
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6页	130K
描述
NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE722S01 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	S01, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	4 V	最大漏极电流 (ID)：	0.04 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	X-PXMW-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE722S01 数据手册

NEC's C TO X BAND

N-CHANNEL GaAs MES FET

NE722S01

OUTLINE DIMENSION (Units in mm)

FEATURES

• HIGH POWER GAIN:

GS = 6 dB TYP at f = 12 GHz

PACKAGE OUTLINE SO1

• OUTPUT POWER (at 1 dB compression):

2.0 0.2

15 dB TYP at f = 12 GHz

• LOW NOISE/HIGH GAIN:

NF = 0.9 dB TYP, Ga = 12 dB TYP at f = 4 GHz

2.0 0.2

• GATE LENGTH: LG = 0.8 µm (recessed gate)

• GATE WIDTH: WG = 400 µm

0.5

DESCRIPTION

TYP

2.0 0.2

NEC's NE722S01 is a low cost GaAs MESFET suitable for

both amplifier and oscillator applications through X-band.

The device features a 0.8 micron recessed gate, triple

epitaxial technology and is fabricated using ion implantation

for improved RF and DC performance and uniformity. This

device's low phase noise and high fT makes it a excellent

choice for oscillator applications on a digital LNB (Low

Noise Block). The NE722S01 is housed in a low cost plastic

package which is available in Tape and Reel.

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

0.65 TYP

1.9 0.2

1.6

NEC's stringent quality assurance and test procedures

ensure the highest reliability performance.

0.125 0.05

1.5 MAX

APPLICATIONS

0.4 MAX

4.0 0.2

• C to X band low noise amplifiers

• C to X band oscillators

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE722S01

S01

SYMBOLS

IGSO

PARAMETERS AND CONDITIONS

Gate to Source Leak Current, VGS = -5 V

UNITS

MIN

TYP

1.0

MAX

–

-0.5

–

IDSS

Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0 V

Gate to Source Cutoff Voltage, VDS = 3 V, ID = 100 µA

Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 30 mA

Power Gain, VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz

120

-4.0

–

VGS

–

P1dB

Output Power at 1 dB Gain Compression Point at

VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz

dBm

15.0

Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz

Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz

–

0.9

–

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6

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