Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE72118-T2

NE72118-T2

更新时间： 2024-11-23 03:46:43

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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C TO X BAND AMPLIFIER C TO X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MESFET

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NE72118-T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SOT-343, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE72118-T2 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

C TO X BAND AMPLIFIER

C TO X BAND OSC

NE72118

N-CHANNEL GaAs MESFET

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS (Units in mm)

•

HIGH POWER GAIN:

PACKAGE OUTLINE 18

Gs = 5.5 dB TYP at f = 12 GHz

2.1 ± 0.2

•

GATE LENGTH: Lg = 0.8 µm (recessed gate)

GATE WIDTH: Wg = 330 µm

1.25 ± 0.1

4 PINS SUPER MINI MOLD

TAPE & REEL PACKAGING

DESCRIPTION

The NE72118 is a high performance gallium arsenide metal

semiconductor field effect transistor (MESFET), housed in a

low cost plastic surface mount package (SOT 23 style). This

device's low phase noise and high fT make it an excellent

choice for oscillator applications on a digital LNB (Low Noise

Block).

NEC's stringent quality assurance and test procedures ensure

the highest reliability performance.

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Gate

3. Source

4. Drain

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE72118

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

IGSO

IDSS

Gate to Source Leak Current at VGS = -5 V

µA

1.0

Saturated Drain Current at VDS = 3 V, VGS = 0 V

Gate to Source Cut off Voltage at VDS = 3 V, ID = 100 µA

Transconductance at VDS = 3 V, ID = 30 mA

-0.5

100

-4.0

VGS (OFF)

-2.0

Phase Noise at VDS=3 V, ID=30mA, f=11GHz,100KHz offset dBc/Hz

Phase Noise at VDS=3 V, ID=30mA, f=11GHz, 10KHz offset dBc/Hz

-110

-85

5.5

Power Gain at VDS = 3 V, ID = 30 mA, f = 12 GHz

Po (1dB)

Output Power at 1 dB Gain Compression Point at

VCE = 3 V, ID = 30 mA, f = 12 GHz

dBm

13.5

California Eastern Laboratories

12 3 4

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