NE72218

更新时间： 2024-11-22 22:29:07

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE72218 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE72218 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE72218

C to X BAND AMPLIFIER

C to X BAND OSC

N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES

•

High power gain in C to X band: G^S= 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

Gate length

: L^g= 0.8 µm

: W^g= 400 µm

Gate width

4-pin super minimold package

Tape & reel packaging only available

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

4-pin super minimold

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

NE72218-T1

NE72218-T2

• Pin 3 (Source), Pin 4 (Drain) face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Source), Pin 2 (Gate) face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (Part number for sample order:

NE72218).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25 °C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

V^DS

V^GS

I^D

Ratings

5.0

Unit

−5.0

I^DSS

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

250

T^ch

125

T^stg

−65 to +125

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P12750EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published August 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

1997, 2000

12 3 4 5 6 7...12

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