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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-PRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 5 V | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE721S01-T1K | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE721S01-T1N | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72218 | NEC |
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C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE72218-57 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72218-58 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72218-59 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72218-T1 | NEC |
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C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE72218-T1-57 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72218-T1-58 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72218-T1-59 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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