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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 5 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE72000L | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72000M | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72000N | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72000P | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE72084 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE72084-K | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE72084-L | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE72084-M | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE72089A | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE72089A | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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