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NE72000P

更新时间: 2024-01-14 07:56:51
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE72000P 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.40风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:5 V
最大漏极电流 (ID):0.06 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:C BANDJESD-30 代码:R-XUUC-N5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE72000P 数据手册

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