NE71300M

更新时间： 2024-01-04 02:53:26

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
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LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

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NE71300M 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.40	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	4 V
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	8 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE71300M 数据手册

LOW NOISE

L TO K-BAND GaAs MESFET

NE71300

NOISE FIGURE & ASSOCIATED GAIN

FEATURES

vs. FREQUENCY

VDS = 3 V, IDS = 10 mA

•

LOW NOISE FIGURE

2.5

NF = 1.6 dB TYP at f = 12 GHz

•

HIGH ASSOCIATED GAIN

GA = 9.5 dB TYP at f = 12 GHz

•

LG = 0.3 µm, WG = 280 µm

EPITAXIAL TECHNOLOGY

LOW PHASE NOISE

1.5

0.5

DESCRIPTION

The NE71300 features a low noise figure and high associ-

atedgainthroughK-bandbyemployingarecessed0.3micron

gate and triple epitaxial technology. The active area of the

chip is covered with Si02 and Si3N4 for scratch protection as

well as surface stability. This device is suitable for both

amplifier and oscillator applications in the consumer and

industrial markets.

20 30

Frequency, f (GHz)

NEC's stringent quality assurance and test procedures en-

sure the highest reliability and performance.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

NE71300

PACKAGE OUTLINE

00 (CHIP)

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

NFOPT

Optimum Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA,

f = 4 GHz

f = 12 GHz

0.6

1.6

0.7

1.8

Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA,

f = 4 GHz

f = 12 GHz

11.5

8.5

14.0

9.5

P1dB

Output Power at 1 dB Compression, VDS = 3 V, IDs = 30 mA,

f =12 GHz

dBm

14.5

IDSS

Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0

Pinch-Off Voltage, VDS = 3 V, IDS = 0.1 mA

Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 10 mA

Gate to Source Leakage Current at VGS = -5 V

Thermal Resistance (Channel to Case)

-3.5

-1.1

120

-0.5

µA

IGSO

1.0

RTH (CH-C)

°C/W

190

Notes:

1. RF performance is determined by packaging and testing 10 samples per wafer; wafer rejection criteria for standard devices is 2 rejects for 10

samples.

2. Chip mounted on infinite heat sink.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE71300-M	NEC	获取价格	L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
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