NE71300M

更新时间： 2024-11-18 21:54:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	94K
描述
LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE71300M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIE-6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	5 V
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	K BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	8.5 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE71300M 数据手册

LOW NOISE

L TO K-BAND GaAs MESFET

NE71300

NOISE FIGURE & ASSOCIATED GAIN

FEATURES

vs. FREQUENCY

VDS = 3 V, IDS = 10 mA

•

LOW NOISE FIGURE

2.5

NF = 1.6 dB TYP at f = 12 GHz

•

HIGH ASSOCIATED GAIN

GA = 9.5 dB TYP at f = 12 GHz

•

LG = 0.3 µm, WG = 280 µm

EPITAXIAL TECHNOLOGY

LOW PHASE NOISE

1.5

0.5

DESCRIPTION

The NE71300 features a low noise figure and high associ-

atedgainthroughK-bandbyemployingarecessed0.3micron

gate and triple epitaxial technology. The active area of the

chip is covered with Si02 and Si3N4 for scratch protection as

well as surface stability. This device is suitable for both

amplifier and oscillator applications in the consumer and

industrial markets.

20 30

Frequency, f (GHz)

NEC's stringent quality assurance and test procedures en-

sure the highest reliability and performance.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

NE71300

PACKAGE OUTLINE

00 (CHIP)

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

NFOPT

Optimum Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA,

f = 4 GHz

f = 12 GHz

0.6

1.6

0.7

1.8

Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA,

f = 4 GHz

f = 12 GHz

11.5

8.5

14.0

9.5

P1dB

Output Power at 1 dB Compression, VDS = 3 V, IDs = 30 mA,

f =12 GHz

dBm

14.5

IDSS

Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0

Pinch-Off Voltage, VDS = 3 V, IDS = 0.1 mA

Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 10 mA

Gate to Source Leakage Current at VGS = -5 V

Thermal Resistance (Channel to Case)

-3.5

-1.1

120

-0.5

µA

IGSO

1.0

RTH (CH-C)

°C/W

190

Notes:

1. RF performance is determined by packaging and testing 10 samples per wafer; wafer rejection criteria for standard devices is 2 rejects for 10

samples.

2. Chip mounted on infinite heat sink.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与NE71300M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE71300-M	NEC	获取价格	L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71300N	NEC	获取价格	LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300-N	NEC	获取价格	L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71383B	NEC	获取价格	L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE720	DBLECTRO	获取价格	Magnet latching relay.
NE720_05	DBLECTRO	获取价格	High sensitivity & reliability.
NE72000	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET
NE72000	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72000L	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE72000M	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M

与NE71300M相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE71300M

NE71300M 技术参数

NE71300M 数据手册

与NE71300M相关器件

与NE71300M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE71300M

NE71300M 技术参数

NE71300M 数据手册

与NE71300M相关器件

与NE71300M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？