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NE71300-N

更新时间： 2024-02-21 17:47:17

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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描述
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE71300-N 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.40	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	4 V
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	8 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE71300-N 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE713

L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES

x Low noise figure

NF = 0.6 dB TYP. at f = 4 GHz

x High associated gain

Ga = 14 dB TYP. at f = 4 GHz

x Gate width: Wg = 280 Pm

x Gate Length: Lg = 0.3 Pm

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NE71300-N

NE71300-M

NE71300-L

NE71383B

I ^DSS(mA)

20 to 50

50 to 80

80 to 120

20 to 120

PACKAGE CODE

00 (CHIP)

83B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^DS

V^GSO

V^GDO

I^D

5.0

ð5.0

ð6.0

I^DSS

Total Power Dissipation

P^tot

270

°C

[NE71383B]

400

[NE71300]

Channel Temperature

Storage Temperature

T^ch

175

T^stg

ð65 to +175

°C

RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T^A= 25 °C)

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

Drain Current

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

V^DS

I^D

dBm

Input Power

Pⁱⁿ

Document No. P11691EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published February 1997 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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