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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE71300
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NE71300

更新时间： 2024-11-18 21:54:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

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NE71300 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIE-6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：5 VFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：K BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：8.5 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE71300 数据手册

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LOW NOISE  
L TO K-BAND GaAs MESFET  
NE71300  
NOISE FIGURE & ASSOCIATED GAIN  
FEATURES  
vs. FREQUENCY  
VDS = 3 V, IDS = 10 mA  
•
LOW NOISE FIGURE  
3
2.5  
2
24  
21  
18  
NF = 1.6 dB TYP at f = 12 GHz  
•
HIGH ASSOCIATED GAIN  
GA = 9.5 dB TYP at f = 12 GHz  
•
•
•
LG = 0.3 µm, WG = 280 µm  
EPITAXIAL TECHNOLOGY  
LOW PHASE NOISE  
GA  
1.5  
15  
1
0.5  
0
12  
9
NF  
DESCRIPTION  
The NE71300 features a low noise figure and high associ-  
atedgainthroughK-bandbyemployingarecessed0.3micron  
gate and triple epitaxial technology. The active area of the  
chip is covered with Si02 and Si3N4 for scratch protection as  
well as surface stability. This device is suitable for both  
amplifier and oscillator applications in the consumer and  
industrial markets.  
6
1
2
10  
20 30  
Frequency, f (GHz)  
NEC's stringent quality assurance and test procedures en-  
sure the highest reliability and performance.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE71300  
PACKAGE OUTLINE  
00 (CHIP)  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
1
NFOPT  
Optimum Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA,  
f = 4 GHz  
f = 12 GHz  
dB  
dB  
0.6  
1.6  
0.7  
1.8  
1
GA  
Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA,  
f = 4 GHz  
f = 12 GHz  
dB  
dB  
11.5  
8.5  
14.0  
9.5  
P1dB  
Output Power at 1 dB Compression, VDS = 3 V, IDs = 30 mA,  
f =12 GHz  
dBm  
14.5  
IDSS  
VP  
Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0  
Pinch-Off Voltage, VDS = 3 V, IDS = 0.1 mA  
Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 10 mA  
Gate to Source Leakage Current at VGS = -5 V  
Thermal Resistance (Channel to Case)  
mA  
V
20  
-3.5  
20  
40  
-1.1  
50  
120  
-0.5  
gm  
mS  
µA  
IGSO  
1.0  
10  
2
RTH (CH-C)  
°C/W  
190  
Notes:  
1. RF performance is determined by packaging and testing 10 samples per wafer; wafer rejection criteria for standard devices is 2 rejects for 10  
samples.  
2. Chip mounted on infinite heat sink.  
California Eastern Laboratories  
12345678

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