5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 5 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.12 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE71100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | CHIP |
|
| NE71111 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | TO-18 |
|
| NE713 | NEC |
获取价格 |
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NE71300 | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
|
| NE71300L | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
|
| NE71300-L | NEC |
获取价格 |
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NE71300M | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
|
| NE71300-M | NEC |
获取价格 |
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NE71300N | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
|
| NE71300-N | NEC |
获取价格 |
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
