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NE71000L

更新时间: 2024-01-08 22:26:15
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 233K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE71000L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.40风险等级:5.82
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:5 V最大漏极电流 (ID):0.12 A
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最高频带:K BAND
JESD-30 代码:R-XUUC-N5元件数量:1
端子数量:5工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):8 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE71000L 数据手册

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