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NE71000N

更新时间: 2024-01-09 08:49:18
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 233K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE71000N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.40风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:5 V
最大漏极电流 (ID):0.12 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:K BANDJESD-30 代码:R-XUUC-N5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):8 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

NE71000N 数据手册

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