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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE71084-T2 | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE71100 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | CHIP |
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| NE71111 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | TO-18 |
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| NE713 | NEC |
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L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE71300 | NEC |
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LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
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| NE71300L | NEC |
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LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
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| NE71300-L | NEC |
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L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE71300M | NEC |
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LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
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| NE71300-M | NEC |
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L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE71300N | NEC |
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LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
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压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
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