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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68839-T1-A | CEL |
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SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE688M03 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| NE688M13 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| NE688M23 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| NE688M23 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, CERAMIC, M |
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| NE68939 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| NE68939 | CEL |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| NE68939-T1 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| NE68939-T1-A | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| NE68939-T1FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4 |
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