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NDT014LJ23ZD84Z

更新时间： 2024-02-13 17:52:29

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	229K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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NDT014LJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT014LJ23ZD84Z 数据手册

August 1996

NDT014L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

2.8 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.2 W @ V_GS= 4.5 V

These N-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology.This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance,

provide superior switching performance, and withstand high

energy pulses in the avalanche and commutation

modes.Thesedevices are particularly suited for low voltage

applications such as DC motor control and DC/DC

conversion where fast switching, low in-line power loss, and

resistance to transients are needed.

R_DS(ON)= 0.16 W @ V_GS= 10 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT014L

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

± 2.8

± 10

Maximum Power Dissipation

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

NDT014L Rev.D

12 3 4 5 6 7...10

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与NDT014LJ23ZD84Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NDT014LL84Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NDT014LS62Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem	获取价格
NDT014S62Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem	获取价格
NDT01N60	ONSEMI	N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5	获取价格
NDT01N60T1G	ONSEMI	功率 MOSFET 600V 0.4A 8.5 Ω 单 N 沟道 SOT-223	获取价格
NDT02N40T1G	ONSEMI	功率 MOSFET，400V，0.4A，5.5Ω，单 N 沟道，SOT-223	获取价格