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NDT01N60

更新时间： 2024-09-28 12:01:19
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安森美 - ONSEMI /
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8页 136K
描述
N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

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NDT01N60 数据手册

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NDD01N60, NDT01N60  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 8.5 W  
Features  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
V
R
MAX  
DS(ON)  
(BR)DSS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
600 V  
8.5 W @ 10 V  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current R  
Symbol  
V
NDD  
NDT  
Unit  
V
N−Channel MOSFET  
600  
DSS  
D (2)  
I
D
1.5  
1.0  
0.4  
A
q
JC  
Steady State, T = 25°C (Note 1)  
C
Continuous Drain Current R  
I
D
0.25  
A
q
JC  
Steady State, T = 100°C (Note 1)  
C
G (1)  
Pulsed Drain Current, t = 10 ms  
I
6.0  
46  
1.5  
2.5  
A
p
DM  
Power Dissipation – R  
P
D
W
q
JC  
S (3)  
Steady State, T = 25°C  
C
MARKING  
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
13  
V
GS  
DIAGRAMS  
Single Pulse Drain−to−Source  
EAS  
mJ  
4
Avalanche Energy (I = 1.0 A)  
PK  
Drain  
Peak Diode Recovery (Note 2)  
Source Current (Body Diode)  
dv/dt  
4.5  
V/ns  
A
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
I
S
1.5  
0.4  
2
1
Lead Temperature for Soldering  
Leads  
T
L
260  
°C  
3
2
Drain  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
1
3
J
STG  
Gate Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Limited by maximum junction temperature  
4
4
Drain  
IPAK  
CASE 369D  
STYLE 2  
2. I = 1.5 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
S
DD  
DSS  
1
2
3
THERMAL RESISTANCE  
Parameter  
Y
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Value  
Unit  
°C/W  
°C/W  
WW  
G
Junction−to−Case (Drain)  
NDD01N60  
R
2.7  
1
2
3
q
JC  
Gate Drain Source  
Junction−to−Ambient  
(Note 4) NDD01N60  
(Note 3) NDD01N60−1  
(Note 4) NDT01N60  
(Note 5) NDT01N60  
R
38  
96  
58  
141  
q
JA  
Drain  
4
4
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
AYW  
01N60G  
G
1
2
3
3. Insertion mounted.  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
4. Surface−mounted on FR4 board using 1” sq. pad size  
(Cu area = 1.127” sq. [2 oz] including traces).  
1
2
3
5. Surface−mounted on FR4 board using minimum recommended pad size  
W
Gate Drain Source  
(Cu area = 0.026” sq. [2 oz]).  
01N60 = Specific Device Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
January, 2013 − Rev. 2  
NDD01N60/D  
 
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