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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 174 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NDT2955(J23Z) | FAIRCHILD | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223 |
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| NDT2955/D84Z | TI | 2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT2955/L99Z | TI | 2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT2955/S62Z | TI | 2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT2955_02 | FAIRCHILD | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT2955_NL | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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