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NDT12P20

更新时间： 2024-11-17 18:09:27

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P-Channel MOSFET

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NDT12P20 数据手册

SMD Type

MOSFET

P-Channel MOSFET

NDT12P20

TO-252

Unit: mm

+0.15

-0.15

6.50

+0.1

-0.1

2.30

+0.8

-0.7

+0.2

5.30

-0.2

0.50

■ Features

● VDS (V) =-20V

● ID =-10 A

● R^DS(ON)＜ 150mΩ (VGS =-4.5V)

● R^DS(ON)＜ 250mΩ (VGS =-2.5V)

● Gate Drive Capability: 2.5V

0.127

max

+0.1

-0.1

0.80

0.1

0.60⁺_-

2.3

4.60

1 Gate

2 Drain

+0.15

-0.15

3 Source

4 Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-20

Unit

Gate-Source Voltage

±12

-10

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

-24

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.01

110

W/°C

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

thJA

thJC

℃/W

150

℃

Junction Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

12 3

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