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NDT18N06

更新时间： 2024-09-29 18:09:39

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N-Channel MOSFET

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NDT18N06 数据手册

SMD Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

NDT18N06

TO-252

Unit: mm

+0.15

-0.15

6.50

+0.1

-0.1

2.30

+0.8

-0.7

+0.2

-0.2

5.30

0.50

■ Features

● V^{DS (V)}= 60V

● ID = 18 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 55mΩ (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 68mΩ (VGS = 4.5V)

0.127

max

+0.1

-0.1

0.80

1 Gate

2 Drain

+ 0.1

- 0.1

0.60

2.3

4.60

3 Source

4 Drain

+0.15

-0.15

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

±20

Tc=25℃

Tc=70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

14.5

Tc=25℃

Tc=70℃

℃

Single Pulsed Avalanche Energy

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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