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NDT014LJ23ZD84Z

更新时间： 2024-01-31 01:13:15

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	229K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT014LJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT014LJ23ZD84Z 数据手册

Typical Electrical Characteristics

1.12

V_GS= 0V

I_D= 250µA

1.08

1.04

= 125°C

0.1

25°C

0.01

0.001

0.0001

-55°C

0.96

0.92

-50

-25

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation

Figure 7. Breakdown Voltage Variation with

Temperature.

with Current and Temperature.

700

500

V_DS= 5V

I_D= 2.8A

10V

20V

iss

200

oss

100

rss

f = 1 MHz

V_GS= 0V

0.1

0.2

0.5

40 60

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

, GATE CHARGE (nC)

Figure 9. Capacitance Characteristics.

Figure 10. Gate Charge Characteristics.

t_on

t_off

V_DD

t_d(off)

t _d(on)

t_r

t_f

R_L

V_IN

90%

V_OUT

V_GS

OUT

R_GEN

10%

DUT

INVERTED

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 11. Switching Test Circuit.

Figure 12. Switching Waveforms.

NDT014L Rev.D

1 2 3 456 7 8...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NDT014LL84Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NDT014LS62Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem	获取价格
NDT014S62Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem	获取价格
NDT01N60	ONSEMI	N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5	获取价格
NDT01N60T1G	ONSEMI	功率 MOSFET 600V 0.4A 8.5 Ω 单 N 沟道 SOT-223	获取价格
NDT02N40T1G	ONSEMI	功率 MOSFET，400V，0.4A，5.5Ω，单 N 沟道，SOT-223	获取价格