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NDT014LJ23ZD84Z

更新时间： 2024-01-17 11:34:26

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	229K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT014LJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT014LJ23ZD84Z 数据手册

Typical Electrical Characteristics

1.75

1.5

V_GS= 10V

6.0

5.0

4.5

4.0

V_GS=3.0V

3.5

1.25

4.0

4.5

3.0

5.0

6.0

0.75

0.5

2.5

, DRAIN CURRENT (A)

, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 2. On-Resistance Variation with Gate

Voltage and Drain Current.

Figure 1. On-Region Characteristics.

1.75

V_GS= 4.5V

I_D= 2.8A

T = 125°C

1.75

1.5

1.25

V_GS= 4.5V

1.5

1.25

25°C

0.75

0.5

-55°C

0.75

0.5

-50

-25

100

125

150

, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

, DRAIN CURRENT (A)

Figure 3. On-Resistance Variation with

Temperature.

Figure 4. On-Resistance Variation with Drain

Current and Temperature.

1.2

= -55°C

V_DS= V_GS

V_DS= 5V

25°C

125°C

I_D= 250µA

1.1

0.9

0.8

0.7

-50

-25

100

125

150

, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Figure 5. Transfer Characteristics.

Figure 6. Gate Threshold Variation with

Temperature.

NDT014L Rev.D

1 2 345 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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