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MTM60N06

更新时间: 2024-10-15 03:48:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 193K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

MTM60N06 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):60 A最大漏源导通电阻:0.028 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):1000 pF
JEDEC-95代码:TO-204AEJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:250 W最大功率耗散 (Abs):250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):750 ns最大开启时间(吨):420 ns
Base Number Matches:1

MTM60N06 数据手册

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