是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 950 V |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 200 pF |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 17 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 700 ns | 最大开启时间(吨): | 320 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTM5P18 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 180V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
MTM5P20 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
MTM5P25 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
MTM60N05 | NJSEMI |
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SMALL | |
MTM60N06 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MTM60N06 | NJSEMI |
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SMALL | |
MTM68410 | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
MTM68411 | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
MTM684110L | PANASONIC |
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Transistor | |
MTM684110LBF | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |