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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM60N06 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM60N06 | NJSEMI |
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SMALL |
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| MTM68410 | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM68411 | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM684110L | PANASONIC |
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Transistor |
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| MTM684110LBF | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM68423 | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM6N100E | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTM6N55 | MOTOROLA |
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Power Field Effect Transistor |
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| MTM6N60 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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