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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM5N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| MTM5N40 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N95 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 950V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM5P18 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 180V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM5P20 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM5P25 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM60N05 | NJSEMI |
获取价格 |
SMALL |
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| MTM60N06 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM60N06 | NJSEMI |
获取价格 |
SMALL |
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| MTM68410 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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