MRF644

更新时间： 2024-11-11 22:51:07

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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4页	103K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF644 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4 A	基于收集器的最大容量：	85 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CXFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	103 W
最小功率增益 (Gp)：	6.2 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF644 数据手册

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by MRF644/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

. . . designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial

and commercial FM equipment operating to 512 MHz.

•

Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics —

Output Power = 25 Watts

25 W, 470 MHz

Minimum Gain = 6.2 dB

Efficiency = 60%

CONTROLLED Q

RF POWER

TRANSISTOR

NPN SILICON

•

Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

Built–In Matching Network for Broadband Operation

Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @

16–Volt High Line and 50% Overdrive

•

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

CASE 316–01, STYLE 1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

4.0

Collector Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

103

0.59

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–65 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

1.7

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, V = 0)

(BR)CES

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 5.0 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

(V = 15 Vdc, V = 0, T = 25°C)

5.0

mAdc

(continued)

CES

CE BE

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1994

MRF644

12 3 4

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MRF644 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE366	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 25W @ 512MHz
NTE480	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz
SD1488	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS

与MRF644相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF646	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF648	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF650	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF650	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF652	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MRF652	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 16V 2A 3-Pin NI-200Z
MRF6522-10R1	NXP	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN
MRF6522-10R1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN
MRF6522-60	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
MRF6522-60	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin Case 360B-04

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